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北京天科合达半导体股份有限公司于2006年9月由新疆天富集团、中国科学院物理研究所共同设立,目前注册资本为50600万元,是国内首家专业从事第三代半导体碳化硅(SiC)晶片研发、生产和销售的国家级高新技术企业。公司为全球SiC晶片的主要生产商之一。公司坚持现代企业管理制度,具备完整、规范的管理体系,已通过IATF16949:2016车规级 质量管理体系认证。公司总部设在北京市大兴区,目前拥有北京总部基地、北京研发中心和三家全资子公司,一家控股子公司,产业涵盖碳化硅单晶炉制造、碳化硅单晶生长原料制备、碳化硅单晶衬底制备和碳化硅外延制备。公司拥有两处完整的集晶体生长-晶体加工-晶片加工-清洗检测的全套碳化硅晶片生产基地;三家全资子公司分别位于辽宁沈阳市、新疆石河子市和江苏徐州市,控股子公司位于广东省深圳市。
公司被认定为“国家级高新技术企业”、“中关村高新技术企业”、“北京科技研究开发机构”;先后承担国家科技部科技支撑计划、863计划、02重大专项等多个国家部委、北京市重点科技攻关项目等项目数十项;荣获科技部授予的“十一五”国家科技计划执行优秀团队奖、省部级科技进步一等奖。公司先后申请**60余项,已获授权**40余项;参与起草并正式发布国家标准4项,行业标准1项,团体标准8项。我公司立足于自主研发,坚持产业创新,打破了国外企业的技术垄断。公司在导电型碳化硅单晶领域长期稳居国内第一,2021年跃居世界前四。SiC作为第三代半导体基础材料,以天科合达为代表的国内技术和发达国家的技术差距正在不断缩小,完全有实力在半导体衬底行业实现换道超车。
公司被认定为“国家级高新技术企业”、“中关村高新技术企业”、“北京科技研究开发机构”;先后承担国家科技部科技支撑计划、863计划、02重大专项等多个国家部委、北京市重点科技攻关项目等项目数十项;荣获科技部授予的“十一五”国家科技计划执行优秀团队奖、省部级科技进步一等奖。公司先后申请**60余项,已获授权**40余项;参与起草并正式发布国家标准4项,行业标准1项,团体标准8项。我公司立足于自主研发,坚持产业创新,打破了国外企业的技术垄断。公司在导电型碳化硅单晶领域长期稳居国内第一,2021年跃居世界前四。SiC作为第三代半导体基础材料,以天科合达为代表的国内技术和发达国家的技术差距正在不断缩小,完全有实力在半导体衬底行业实现换道超车。
主营产品
SiC单晶生长炉、莫桑钻、SiC晶片、SiC晶体.、清洗、返抛、切磨抛代加工等产品。